通知公告

      物理气相沉积（PVD）是半导体芯片和TFT-LCD生产过程中最关键的工艺之一， PVD用溅射金属靶材是半导体芯片生产及TFT-LCD制备加工过程中最重要的原材料之一，溅射金属靶材中用量最大的是超高纯铝和超高纯净铝合金靶材。研发具有自主知识产权的大尺寸超高纯铝靶材的制造关键技术，开发出满足半导体行业及TFT-LCD产业需求的超高纯铝靶材产品，对于我国相关产业的发展具有重要意义。

      通过本项目的实施，将在超高纯铝（>99.999%）的精炼及大尺寸铸锭的制备、大尺寸靶材的形变加工与热处理、大尺寸高纯铝靶材的精加工及焊接等靶材制备的关键技术方面实现突破，本项目的研究成果将为在我国形成一个从超高纯铝精炼提纯到靶材加工的完整产业链提供技术支撑。

      为公正、公平、公开地选择项目承担单位，充分调动相关企业、科研院所及高等院校的积极性，集成全国在铝的精炼提纯、大尺寸铝板形变加工及溅射金属靶材专业制备等领域的优势研发力量开展本项目的工作，特此发布本重点项目申请指南。

1．项目名称

大尺寸超高纯铝靶材的制造技术

2．项目总体目标

通过超高纯铝及铝合金靶材制备加工过程中的关键技术攻关，全面掌握应用于大规模集成电路制造和TFT-LCD制造的大尺寸超高纯铝及铝合金靶材的制备加工技术；制备出满足大规模集成电路制造用和TFT-LCD使用要求的超高纯铝及铝合金靶材产品；为在我国形成一个从超高纯铝精炼提纯到靶材加工的完整产业链提供关键技术支撑。

3．项目主要研究内容

（1）超高纯度铝原料的制备技术。针对大规模集成电路制造用及TFT-LCD制造用超高纯铝及铝合金靶材的要求，开展化学纯度99.999％－99.9995%的超高纯铝精炼提纯技术研究。

（2）进行大型铝及铝合金靶材的形变加工成型与微观组织/织构控制技术研究，掌握大尺寸坯料的熔炼铸造、大尺寸板材形变加工及热处理等关键技术。

（3）开发大型靶材的精密机械加工技术，以及靶材与背板的表面处理与联结的关键技术，实现靶材与背板的可靠焊接。

重点资助连续偏析提纯、真空低偏析铸造、精密变形加工及高平直度精密机加工等先进技术的研究开发。优先资助具有自主知识产权、产学研结合优势及一定产业基础的项目。

4．项目主要考核指标

（1）超高纯Al原材料：在分析40个以上杂质元素的基础上，化学纯度达到99.999％~99.9995%。其中要求：Na+ K+ Li ≤ 0.1 ppm，U+Th ≤ 1 ppb，其它杂质元素总量 ≤ 5 ppm，气体元素C、N、O、H2、S等满足现有电子国标要求。

（2）集成电路互连线制造用超高纯铝/铝合金靶材： 超高纯铝/铝合金铸锭：Na+ K+ Li ≤0.1 ppm，U+Th ≤1 ppb，除合金元素外其它杂质元素总量≤5 ppm，气体元素C、N、O、H2、S等满足现有电子国标要求；大尺寸(直径>180mm)铸锭的铸造缺陷率≤0.2%；靶材直径≥380mm；超高纯铝靶材晶粒尺寸≤200μm；超高纯铝合金靶材晶粒尺寸≤100μm、第二相尺寸≤0.5μm；靶材加工精度达到尺寸公差±0.1mm，表面粗糙度0.8μm；与背板焊接结合率≥98%，局部最大缺陷尺寸≤2％；靶材表面清洁度符合电子级要求。

（3）薄膜液晶显示器用超高纯Al靶：超高纯铝铸锭：Na+ K+ Li ≤0.2 ppm，U+Th ≤1 ppb，其它杂质元素总量≤5 ppm，气体元素C、N、O、H2、S等满足现有电子国标要求；大尺寸（直径>180mm）铸锭的铸造缺陷率≤0.2%； 靶材长度≥1700mm，宽度≥1200mm；靶材晶粒尺寸≤300μm，晶粒取向以（200）面织构为主；靶材加工精度达到尺寸公差±0.2mm，表面粗糙度0.8μm；与背板焊接结合率≥98%，局部最大缺陷尺寸≤2％；靶材表面清洁度符合电子级要求。

 

5．项目经费来源及构成

本项目国拨经费控制数为1200万元人民币，配套经费与国拨经费的比例不低于3:1，

6．项目支持年限：不超过3年。

说明：项目牵头单位在满足项目主要考核指标要求的同时应明确材料制备规模，并将其作为重要考核指标。

 

1．本重点项目申请必须针对项目的总体目标和整体任务，编写《国家高技术研究发展计划（863计划）重点项目申请书》，针对项目部分研究内容的申请将视为无效申请。项目申请要提出项目分解方案（包括任务分解及经费分解），并提出项目课题设置及承担单位建议（分解的课题数原则上不超过10个）。项目申请团队由申请单位自行组成（同一申请单位只能参加一个申请团队），鼓励产学研结合，并明确项目牵头单位和申请负责人。项目牵头单位与联合申请单位应签订研究开发合作与知识产权分享等相关协议。

2．项目申请团队的条件和要求

申请单位应符合的基本条件：在中华人民共和国境内登记注册一年以上、过去两年内在申请和承担国家科技计划项目中没有不良信用记录的企事业法人单位，包括大学、科研机构等事业法人；中方控股的企业法人。鼓励企业与科研院所、高等院校以产学研结合的方式联合申请。

3．项目申请负责人和课题负责人应符合的基本条件：

（1）具有中华人民共和国国籍；

（2）年龄在55岁（含）以下（按指南发布之日计算）；

（3）具有高级职称或已获得博士学位；

（4）每年（含跨年度连续）离职或出国的时间不超过6个月；

（5）过去三年内在申请和承担国家科技计划项目中没有不良信用记录。

项目申请负责人应为本学科的学术带头人，具有相关工作背景和较强的组织协调能力，能将主要精力用于项目组织协调与研究工作。

4．项目、课题负责人及主要参加人员不得违反以下限项申请的规定：

为保证科研人员能够高质量地开展研究工作，国家科技计划实行限制申请及承担课题数量规定。每人同期只能主持1项国家主要科技计划（包括863计划、973计划、支撑计划）课题，作为主要参加人员同期参与承担的国家主要科技计划课题数（含负责主持的课题数）不得超过2项。申请者应按照上述要求进行申请，且在同一批发布的申请指南中只能申请1项863计划课题或项目。

5．项目申请经费不得高于项目申请指南规定的国拨经费控制额，并应按照项目申请指南要求提供相应的配套经费及证明材料，否则不予受理。

6．申请者要遵守科学道德，以严谨的科学作风和实事求是的科学精神填写项目申请书，保证项目申请书的真实性，避免出现夸大和不准确的内容。同时，不得将研究内容相同或者近似的项目进行重复申请。863计划对申请者在申报过程中进行信用记录，对于故意在课题申请中提供虚假资料、信息的，一经查实，记入信用档案，并对单位在两年内取消其申报863计划资格、对个人在三年内取消其申报863计划资格。

7．申请程序和要求：项目申请采取网上集中申报。申报通过“国家科技计划项目申报中心”进行，网址为program.most.gov.cn。有关申请的程序、要求和其他注意事项详见《“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）申请指南》。

8．课题申请受理的截止日期为2008年6月15日24时。

9．咨询联系人及联系方式

联系人：卞曙光 010-88372105

蒋志君 010-68338919

电子邮件：jeanbsg@htrdc.com

　　                                                                 科技部863计划新材料领域办公室